三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

三星电子加码存储芯片技术，在平泽二厂（p2）建设10nm第七代dram（1d dram）试验线，以提升竞争力并优化新一代产品的良率。

据悉，该试验线预计2025年第四季度开建，2025年第一季度完工。虽然具体产能尚未公布，但业界推测其月产能约为10000片晶圆。三星计划2025年量产1c DRAM，2026年量产1d DRAM。此举显示三星积极抢占市场先机，力求在2025年保持存储市场领导地位，尤其是在面临SK海力士在高带宽存储器（HBM）领域日益增长的竞争压力下。

三星充分利用其人力和产能优势，加快新产品研发。业内人士分析，新任三星设备解决方案（DS）负责人全英铉的技术背景，使其能直接掌控三星存储技术发展方向，并在DS部门内部推动重大改革。 同时，三星也在加大对NAND闪存技术的投入。

近期，三星平泽第一工厂（P1）已建成业界首条堆叠400层3D NAND（V10）测试线，P4工厂也引进了堆叠286层（V9）设备。通过在DRAM和NAND技术上的战略布局，三星旨在巩固其在全球存储市场中的技术领先优势。 加快试验线建设和下一代产品量产，彰显了三星在竞争激烈的市场环境中保持领先地位的决心。（校对/李梅）

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