【专利】捷捷微电“一种混合栅IGBT结构及其制备方法”专利公布

近期，多家半导体企业公布了新的专利技术，展现了中国半导体产业的蓬勃发展势头。

1. 捷捷微电：混合栅IGBT结构专利

江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布了一项名为“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”的专利（申请公布号：CN118969828A）。

该专利涉及一种新型混合栅IGBT结构，其核心在于采用沟槽栅和平面栅的组合，并通过特定的发射极结构，实现了更高的短路能力和更低的EMI噪声，显著提升了器件的综合性能。

2. 芯联集成：半导体器件制备方法专利

芯联集成电路制造股份有限公司也公布了一项“半导体器件及其制备方法”专利（申请公布号：CN118969745A）。

这项专利技术创新性地利用凹槽和凸起结构，增强了第二钝化层的附着力，有效降低了器件生产过程中的钝化层剥离风险，提高了器件的可靠性。

3. 新微半导体：半导体功率器件专利

上海新微半导体有限公司公布的“一种半导体功率器件及其制作方法”专利（申请公布号：CN118969754A）则聚焦于功率器件的板级并联应用。

该专利通过顶部金属层的对称式布局设计，缩短了电流路径，降低了寄生电感和功率损耗，使其更适用于板级并联应用场景，提升了功率器件的效率。

这三项专利的公布，标志着中国半导体企业在IGBT、器件制备工艺以及功率器件应用等方面取得了新的突破，为中国半导体产业的持续创新提供了强劲动力。

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